Datasheet下载- 型号： 3EZ30D2/TR8
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ30D2/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ30D2/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ30D2/TR8封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ30D2/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ30D2/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现已被Microchip收购）的3EZ30D2/TR8是一款30V、1W额定功率的单齐纳二极管，采用DO-41封装，带卷带包装（TR8）。其主要应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：为低功耗模拟电路（如传感器信号调理、ADC参考源、运算放大器偏置）提供稳定30V基准电压，适用于对精度要求适中、成本敏感的场合。 2. 过压保护（OVP）：常用于电源输入端或敏感IC供电路径中，当瞬态电压超过30V时导通分流，配合限流电阻实现简单可靠的钳位保护。 3. 浪涌抑制与ESD防护辅助：虽非专用TVS，但在低速、低能量干扰环境下可作为初级钳位器件，常与陶瓷电容、PTC等组成基础防护电路。 4. 工业控制与嵌入式系统：广泛应用于PLC模块、电机驱动反馈电路、电源监控电路中，用于稳压、电平转换或故障指示（如配合LED限流）。 5. 消费电子与通信设备：在机顶盒、网络设备、充电器次级侧等场景中，提供局部稳压或反馈环路电压设定点。 该器件具有良好的温度稳定性（典型TC ≈ ±0.07%/°C）和可靠的老化特性，适合工作温度范围-65°C至+175°C的严苛环境。注意需严格按规格书设计限流电阻以确保功耗不超1W，并避免长期工作在最大额定值边缘以保障寿命。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 30V 2% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ30D2/TR8 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 22.5V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±2% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 30V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 16 欧姆 |
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