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产品简介:
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Microsemi Corporation(现已被Microchip收购)的型号3EZ3.9D5E3/TR12是一款3.9V、5%容差、0.5W功率的齐纳二极管(单管),采用DO-41封装,卷带包装(TR12)。其典型应用场景包括: 1. 电压基准与稳压:为低功耗模拟电路(如传感器信号调理、ADC参考源、运算放大器偏置)提供稳定3.9V基准电压;适用于输入波动不大、负载电流较小(≤100mA)的简易稳压场合。 2. 过压保护与箝位:在接口电路(如RS-232、I²C总线)或微控制器GPIO端口前,用作瞬态电压抑制(TVS替代方案),将异常电压箝位于约3.9V,防止后级器件过压损坏(需配合限流电阻使用)。 3. 电源监控与阈值检测:与比较器配合构成欠压/过压检测电路,例如监测3.3V系统供电是否正常(3.9V可作为略高于标称值的检测门限)。 4. 低成本消费电子与工业控制板:广泛用于机顶盒、LED驱动电源、家电控制板、PLC模块等对成本敏感、可靠性要求适中的场景,发挥其体积小、温度稳定性好(典型TC ≈ ±0.07%/°C)、长期稳定性优的特点。 注意:该器件非TVS专用,不适用于高能量ESD或雷击防护;大电流或高频应用需评估功耗与动态响应。设计时应确保功耗不超过0.5W,并留有足够降额余量。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 3.9V 5% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ3.9D5E3/TR12 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 80µA @ 1V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | DO-204AL,DO-41,轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳(标称值)(Vz) | 3.9V |
| 阻抗(最大值)(Zzt) | 4.5 欧姆 |