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产品简介:
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Microsemi Corporation(现已被Microchip收购)的3EZ3.9D5/TR8是一款3.9V、3W通孔式齐纳二极管,采用DO-41封装,±5%电压容差,具有低动态阻抗和良好温度稳定性。其典型应用场景包括: 1. 电压基准与稳压:在低功耗线性稳压电路中为运算放大器、ADC/DAC或传感器提供稳定参考电压(如3.9V基准源); 2. 过压保护:与TVS或限流电阻配合,钳位敏感电路节点(如MCU I/O口、通信接口)瞬态过压,防止ESD或浪涌损坏; 3. 电源轨箝位:用于LDO输出端或电池供电系统中,限制电压波动,保障后级模拟电路(如RF模块、精密传感电路)工作稳定性; 4. 简单稳压电源:在小电流(≤50mA)场合(如LED偏置、振荡器偏置、微控制器复位电路)中构成低成本稳压单元; 5. 工业与汽车电子辅助电路:适用于宽温范围(-65°C ~ +175°C)环境,常见于工业控制板、车载仪表电源管理等对可靠性要求较高的场景。 注意:该器件为通孔封装(TR8表示编带包装),适合传统PCB插件工艺;设计时需确保功耗不超过3W(建议降额至2W以内),并考虑散热条件。不适用于高频或大电流稳压主回路。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 3.9V 5% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ3.9D5/TR8 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 80µA @ 1V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | DO-204AL,DO-41,轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-齐纳(标称值)(Vz) | 3.9V |
| 阻抗(最大值)(Zzt) | 4.5 欧姆 |