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- 型号： 3EZ200D2E3/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ200D2E3/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ200D2E3/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ200D2E3/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ200D2E3/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ200D2E3/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ200D2E3/TR12 是 Vishay（威世）生产的 200V、3W 表面贴装齐纳二极管（单管），采用 DO-214AC（SMA）封装，具有±5%电压容差和低动态阻抗特性。其主要应用场景包括： 1. 过压保护：在电源输入端或敏感电路前，作为钳位器件，将瞬态高压（如ESD、浪涌）限制在200V安全水平，防止后级IC或模块损坏； 2. 稳压参考：在中高压（≤200V）小电流场合（如工业传感器供电、PLC模拟输入前端）提供稳定基准电压，适用于对精度要求不苛刻但需高耐压的参考源； 3. 电压箝位与限幅：在开关电源反馈环路、高压运放输入保护、继电器驱动电路中，限制信号或反馈电压幅值，避免器件饱和或误动作； 4. 浪涌吸收：配合TVS或压敏电阻用于二级防护，提升系统EMC抗扰度（如IEC 61000-4-5 雷击测试辅助钳位）。 注意：该器件额定功率3W，但需严格依据PCB铜箔面积、环境温度降额使用（如70℃以上需功率折减），不适用于连续大电流稳压场景。典型应用需搭配限流电阻，并确保散热充分。 （字数：298）
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 200V 2% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ200D2E3/TR12 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 152V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±2% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 200V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 875 欧姆 |
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