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产品简介:
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3EZ19D10E3/TR8 是 Microsemi Corporation(现属 Microchip Technology)生产的单齐纳二极管,标称稳压值为19V,额定功率为3W(DO-41封装),具有±5%电压容差(“D”后缀)及符合AEC-Q200的汽车级可靠性(“E3”后缀表示无卤素、符合RoHS,“TR8”表示卷带包装)。 其典型应用场景包括: 1. 电源电压基准与稳压:在中低功率线性稳压电路中为IC提供稳定参考电压,如用于运算放大器偏置、ADC/DAC基准或开关电源反馈环路中的误差检测; 2. 过压保护(OVP):与可控硅(SCR)或晶闸管配合构成过压保护电路,在输入电压异常升高时触发关断,保护后级敏感器件; 3. 浪涌钳位与ESD防护:在工业控制接口(如RS-485、CAN总线)或传感器信号调理电路中,作为瞬态电压抑制辅助元件,限制电压尖峰至19V安全水平; 4. 汽车电子系统:得益于AEC-Q200认证,适用于车载信息娱乐电源管理、车身控制模块(BCM)的稳压/检测电路及LED车灯恒流驱动的电压箝位环节; 5. 嵌入式设备与工控电源:在DC-DC转换器次级侧提供简单可靠的输出电压箝位或反馈分压基准,尤其适用于成本敏感、空间受限且无需高精度的场合。 需注意:该器件为传统玻璃钝化齐纳,非TVS,不适用于高频/大能量浪涌场景;设计时应确保功耗不超过3W,并留有足够散热裕量。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 19V 10% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ19D10E3/TR8 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 14.4V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±10% |
| 封装/外壳 | DO-204AL,DO-41,轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-齐纳(标称值)(Vz) | 19V |
| 阻抗(最大值)(Zzt) | 7 欧姆 |