Datasheet下载- 型号： 3EZ19D10/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ19D10/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ19D10/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ19D10/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ19D10/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ19D10/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ19D10/TR12 是 Microsemi Corporation（现已被 Microchip 收购）推出的一款单齐纳二极管，标称齐纳电压为19V，额定功率为3W，采用DO-41封装，带“D10”后缀通常表示±10%电压容差，“TR12”表示卷带包装。 该器件主要应用于中低功率的电压基准与过压保护场景： - 稳压电路：在简单电源或模拟电路中为IC提供稳定参考电压（如为运放、ADC或传感器供电的局部稳压）； - 过压钳位/ESD防护：并联于敏感电路节点（如微控制器I/O口、通信线路），当瞬态电压超过19V时导通泄流，防止后级器件损坏； - 浪涌吸收：配合TVS或限流电阻，用于工业控制、电源适配器、LED驱动等存在电压波动的场合； - 反馈环路基准：在开关电源（如反激式转换器）的光耦反馈网络中作为次级侧电压检测基准点。 需注意：其3W功率适用于短时脉冲或平均功耗较低的工况；长期工作建议降额使用（如≤2W），并确保良好散热。由于已停产且被Microchip整合，当前多用于替代维修或存量设备维护，新设计推荐评估Microchip同规格替代型号（如MMSZ5242B系列）。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 19V 10% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ19D10/TR12 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 14.4V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±10% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 19V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 7 欧姆 |
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