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- 型号： 3EZ190DE3/TR8
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ190DE3/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ190DE3/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ190DE3/TR8封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ190DE3/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ190DE3/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ190DE3/TR8 是Vishay（威世）生产的3W表面贴装齐纳二极管，标称稳压值为190V（容差±5%），最大测试电流为12mA，典型动态阻抗低（约1.2kΩ），具有良好的温度稳定性和长期可靠性。其主要应用场景包括： - 高压稳压与基准源：在工业电源、LED驱动器或仪表电路中，为高电压模拟电路（如ADC参考、运放偏置）提供稳定的190V基准电压。 - 过压保护（OVP）与箝位：常用于开关电源次级侧、电机驱动或通信接口的瞬态电压抑制（TVS辅助），当异常高压（如雷击感应、电感反冲）超过190V时，快速导通分流，保护后级MOSFET、光耦或控制器。 - 反馈环路补偿：在隔离式DC-DC变换器（如反激拓扑）中，与光耦配合构成初级侧稳压反馈路径，提升输出精度和负载调整率。 - 高压检测与阈值设定：在电池管理系统（BMS）高压采集模块或电力监控单元中，作为190V电压阈值检测元件，触发报警或关断逻辑。 该器件采用DO-41（轴向）封装（注：TR8为编带包装），虽非SMD但具备良好散热能力，适用于中等功率、高可靠性要求的工业及汽车电子（AEC-Q200兼容版本可选）。需注意：实际应用中应配限流电阻，并留足功率余量（建议工作功耗≤2W以保障寿命）。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 190V 20% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ190DE3/TR8 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 144.8V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±20% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 190V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 800 欧姆 |
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