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- 型号： 3EZ190D2E3/TR8
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ190D2E3/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ190D2E3/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ190D2E3/TR8封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ190D2E3/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ190D2E3/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ190D2E3/TR8 是 Vishay（威世）生产的 190V、3W 表面贴装齐纳二极管，采用 DO-41（轴向）封装（注：TR8 为编带卷盘包装），具有高精度稳压（容差通常±5%）、低动态阻抗和良好温度稳定性。 典型应用场景包括： 1. 高压电源稳压：在工业控制、LED驱动或AC-DC转换器的辅助电源中，为基准电路或误差放大器提供190V稳定参考电压； 2. 过压保护与钳位：与TVS或可控硅配合，用于通信接口（如RS-485总线）或电机驱动板的瞬态电压抑制，防止190V以上异常电压损坏后级IC； 3. 精密电压检测：在高压电池管理系统（如储能系统中多串锂电池组）中，作为分压采样后的过压阈值检测元件； 4. 模拟电路基准源：为高压运算放大器、ADC参考输入或光耦反馈回路提供高耐压、低噪声的稳定偏置点。 其3W功率能力适合中等功耗稳压需求，DO-41封装兼顾通孔安装可靠性与成本优势，广泛应用于工业电源、电力仪表、照明镇流器及汽车电子（非安全关键模块）等领域。需注意散热设计以确保长期可靠性。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 190V 2% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ190D2E3/TR8 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 144.8V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±2% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 190V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 800 欧姆 |
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