Datasheet下载- 型号： 3EZ17D10E3/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ17D10E3/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ17D10E3/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ17D10E3/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ17D10E3/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ17D10E3/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ17D10E3/TR12 是 Microsemi Corporation（现为 Microchip Technology 旗下）推出的单齐纳二极管，标称稳压值为17V，功率为3W，采用DO-41封装，带卷带包装（TR12）。其典型应用场景包括： - 电压基准与稳压：用于低功耗线性稳压电路中，为模拟电路、传感器或ADC/DAC提供稳定参考电压； - 过压保护（OVP）：与TVS或限流电阻配合，钳位瞬态高压，保护后级IC（如微控制器、通信接口芯片）免受ESD或浪涌损伤； - 电源反馈环路：在离线式开关电源（如反激变换器）的光耦反馈路径中，作为精密电压检测/误差放大基准； - 电平转换与箝位：在信号调理电路中限制输入电压幅值，防止运放或MCU GPIO引脚过压； - 工业与通信设备：广泛应用于工业控制模块、电信电源、仪表电源及汽车电子辅助供电系统（符合AEC-Q200兼容设计要求，需确认具体批次认证）。 该器件具有低动态阻抗、良好温度稳定性（TC ≈ ±0.07%/°C）和高可靠性，适用于对成本敏感且需中等功率稳压能力的通用场景。注意：实际应用中需确保功耗不超过3W，并留有足够散热裕量。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 17V 10% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ17D10E3/TR12 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 13V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±10% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 17V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 6 欧姆 |
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