Datasheet下载- 型号： 3EZ170D5/TR8
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ170D5/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ170D5/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ170D5/TR8封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ170D5/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ170D5/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ170D5/TR8 是 Microsemi Corporation（现属 Microchip Technology）推出的单齐纳二极管，标称稳压值为 170 V，额定功率为 3 W（DO-41 封装），容差 ±5%，具有低动态阻抗和良好温度稳定性。 其典型应用场景包括： 1. 高压电源稳压：用于工业或通信设备中辅助电源的过压钳位与基准稳压，如开关电源次级反馈回路中的电压参考或误差放大器基准； 2. 浪涌/瞬态电压抑制（TVS 辅助）：虽非专用 TVS 器件，但可与 MOV 或 TVS 配合，在 170 V 左右工作点提供精准箝位，保护后级高压电路（如电机驱动、PLC 模块）； 3. 高压检测与基准源：在高压电池管理系统（如储能系统 BMS 分压采样）、X 射线发生器、激光驱动电源中，作为高精度、高稳定性的电压基准或过压指示阈值元件； 4. 电子负载与测试设备：用于校准仪器中的高压稳压模块或恒流源的电压设定节点。 需注意：该器件最大反向电流（IZT）为 12 mA，设计时应确保功耗不超过 3 W，并考虑散热；不适用于高频或大电流动态调节场景。建议配合限流电阻使用，并注意 PCB 布局以减少寄生电容影响。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 170V 5% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ170D5/TR8 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 130.4V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 170V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 650 欧姆 |
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