Datasheet下载- 型号： 3EZ160D5/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ160D5/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ160D5/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ160D5/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ160D5/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ160D5/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ160D5/TR12 是 Microsemi Corporation（现属 Microchip Technology）推出的单齐纳二极管，标称稳压值为160 V，额定功率为3 W（DO-41封装），容差典型为±5%，具有低动态阻抗和良好温度稳定性。 该器件主要应用于高压稳压与过压保护场景： - 高压电源稳压：在工业控制、仪表电源或LED驱动等需160 V基准电压的电路中，作为简单、低成本的并联稳压元件； - 浪涌/过压钳位保护：配合TVS或RC网络，用于保护后级敏感电路（如ADC输入、MCU接口）免受瞬态高压（如EFT、雷击感应）损害； - 电压参考与检测：在高压电池管理系统（如储能系统中串接电池组的分压监测）、电源反馈环路或阈值检测电路中提供稳定参考点； - 电弧抑制与缓冲：在继电器、电磁阀或电机驱动的感性负载关断时，吸收反向电动势，抑制电弧与EMI。 注意：因160 V工作电压较高，设计时需确保PCB爬电距离、封装耐压及散热条件（建议降额使用，尤其在高温环境）。TR12表示卷带包装，适用于自动贴片生产。 （字数：298）
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 160V 5% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ160D5/TR12 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 121.6V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 160V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 625 欧姆 |
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