Datasheet下载- 型号： 3EZ14D10/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ14D10/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ14D10/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ14D10/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ14D10/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ14D10/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ14D10/TR12 是 Microsemi Corporation（现已被 Microchip 收购）推出的单齐纳二极管，标称稳压值为14V，额定功率为3W（DO-41封装），采用TR12卷带包装，适用于自动化贴片生产。 该器件主要应用于中低功率的电压基准与过压保护场景： - 稳压电路：为传感器、模拟前端或微控制器供电提供稳定的14V参考电压，常用于工业控制板、电源反馈环路（如开关电源的次级侧电压监测）。 - 过压钳位/ESD保护：在输入接口（如RS-485、CAN总线或电机驱动信号线）中并联使用，限制瞬态电压尖峰，防止后级IC损坏。 - 电压箝位与电平转换：在模拟信号调理电路中，将波动信号限幅至14V安全范围，或配合分压网络实现特定阈值检测。 - 低成本电源辅助电路：在无需高精度或低温漂的场合（如LED驱动偏置、继电器线圈续流保护），替代更昂贵的基准源。 需注意：其齐纳电压容差典型为±5%，温度系数约+3.5mV/°C，不适用于高精度或宽温域应用；设计时应确保功耗不超过3W，并留有足够散热余量。 综上，3EZ14D10/TR12 适用于对成本敏感、稳压精度要求适中、需可靠基础保护功能的工业与消费类电子设备中。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 14V 10% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ14D10/TR12 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 10.6V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±10% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 14V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 5 欧姆 |
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