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产品简介:
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3EZ140D5/TR12 是 Microsemi Corporation(现属 Microchip Technology)推出的单颗齐纳二极管,标称稳压值为140 V,额定功率为3 W(DO-41封装),具有±5%电压容差和低动态阻抗特性。其典型应用场景包括: - 高压稳压与基准源:在工业电源、仪表或通信设备中,为高压偏置电路(如光电耦合器输入侧、运算放大器高压参考点)提供稳定基准电压。 - 过压保护(OVP)钳位:与TVS或串联限流电阻配合,用于保护后级敏感器件(如ADC输入、MCU引脚)免受瞬态高压(如雷击感应、开关浪涌)冲击,尤其适用于100–150 V工作区间的直流母线钳位。 - 浪涌吸收与箝位电路:在继电器/电磁阀驱动、电机控制等感性负载关断时,吸收反电动势,防止MOSFET/IGBT击穿。 - 高压电源反馈环路:在离线式AC-DC适配器或LED驱动器中,作为次级侧高电压反馈路径的稳压元件(需注意隔离与爬电距离设计)。 该器件工作结温范围宽(−65°C 至 +175°C),适合工业及恶劣环境应用;TR12表示卷带包装,适用于自动化贴片生产。需注意:因140 V属较高稳压值,实际使用中应确保功耗不超过3 W(需合理计算平均电流与散热条件),并避免在高频脉冲下长期超限运行。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 140V 5% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ140D5/TR12 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 106.4V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | DO-204AL,DO-41,轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳(标称值)(Vz) | 140V |
| 阻抗(最大值)(Zzt) | 475 欧姆 |