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  • 型号: 3EZ140D5/TR12
  • 制造商: American Microsemiconductor, Inc.
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ140D5/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ140D5/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ140D5/TR12封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载3EZ140D5/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有3EZ140D5/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

3EZ140D5/TR12 是 Microsemi Corporation(现属 Microchip Technology)推出的单颗齐纳二极管,标称稳压值为140 V,额定功率为3 W(DO-41封装),具有±5%电压容差和低动态阻抗特性。其典型应用场景包括:

- 高压稳压与基准源:在工业电源、仪表或通信设备中,为高压偏置电路(如光电耦合器输入侧、运算放大器高压参考点)提供稳定基准电压。

- 过压保护(OVP)钳位:与TVS或串联限流电阻配合,用于保护后级敏感器件(如ADC输入、MCU引脚)免受瞬态高压(如雷击感应、开关浪涌)冲击,尤其适用于100–150 V工作区间的直流母线钳位。

- 浪涌吸收与箝位电路:在继电器/电磁阀驱动、电机控制等感性负载关断时,吸收反电动势,防止MOSFET/IGBT击穿。

- 高压电源反馈环路:在离线式AC-DC适配器或LED驱动器中,作为次级侧高电压反馈路径的稳压元件(需注意隔离与爬电距离设计)。

该器件工作结温范围宽(−65°C 至 +175°C),适合工业及恶劣环境应用;TR12表示卷带包装,适用于自动化贴片生产。需注意:因140 V属较高稳压值,实际使用中应确保功耗不超过3 W(需合理计算平均电流与散热条件),并避免在高频脉冲下长期超限运行。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

DIODE ZENER 3W 140V 5% DO-41

产品分类

单二极管/齐纳

品牌

Microsemi Commercial Components Group

数据手册

http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf

产品图片

产品型号

3EZ140D5/TR12

rohs

含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同If时的电压-正向(Vf)

1.2V @ 200mA

不同 Vr时的电流-反向漏电流

500nA @ 106.4V

供应商器件封装

DO-41

功率-最大值

3W

包装

带卷 (TR)

安装类型

通孔

容差

±5%

封装/外壳

DO-204AL,DO-41,轴向

工作温度

-65°C ~ 150°C

标准包装

4,000

电压-齐纳(标称值)(Vz)

140V

阻抗(最大值)(Zzt)

475 欧姆

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