Datasheet下载- 型号： 3EZ13D5E3/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ13D5E3/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ13D5E3/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ13D5E3/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ13D5E3/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ13D5E3/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ13D5E3/TR12 是 Microsemi Corporation（现属 Microchip Technology）生产的 13V、3W 表面贴装齐纳二极管，采用 DO-214AC（SMA）封装，具有±5%电压容差和低动态阻抗特性。其典型应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：为低压模拟电路（如传感器信号调理、ADC/DAC参考源）提供稳定13V基准电压，适用于对精度要求适中的工业控制板或电源监控模块。 2. 过压保护（OVP）：常用于电源输入端或敏感IC供电轨（如MCU、运放VCC），当瞬态电压超过13V时导通分流，配合限流电阻实现简单可靠的钳位保护。 3. 浪涌抑制与ESD防护辅助：虽非专用TVS，但在低能量脉冲场景下可协同TVS或保险丝，抑制中等幅度的电源扰动或静电耦合干扰。 4. 反馈环路稳压：在小功率开关电源（如反激式辅助绕组稳压）或线性稳压器（如78xx系列输入预稳压）中，构成简易反馈/箝位网络。 需注意：该器件为通用型齐纳，不适用于高精度（<1%）、低温漂或高频动态响应场景；实际应用中须严格计算功耗（≤3W）、散热条件及串联限流电阻值，避免热失效。Microsemi原厂已停产该型号，现由Microchip提供兼容替代或技术支持。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 13V 5% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ13D5E3/TR12 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 9.9V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 13V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 4.5 欧姆 |
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