Datasheet下载- 型号： 3EZ13D/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ13D/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ13D/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ13D/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ13D/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ13D/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现已被Microchip收购）的3EZ13D/TR12是一款13V、500mW通孔式齐纳二极管，采用DO-41封装，带“D”后缀表示符合JEDEC标准且具备稳定击穿特性和较低动态阻抗。 其典型应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：在低功耗模拟电路（如传感器信号调理、ADC参考源、电源监控电路）中提供精确的13V基准电压； 2. 过压保护：与限流电阻配合，用于IC输入端或敏感节点的钳位保护，防止瞬态电压超过13V损坏后级器件； 3. 电源反馈环路：在简易线性稳压器（如78xx系列辅助电路）或光耦反馈系统中作为取样/误差检测元件； 4. 浪涌抑制与箝位：在工业控制、通信接口（如RS-232收发器供电侧）中抑制ESD或感应浪涌； 5. 低成本嵌入式系统：适用于对成本和尺寸要求不高、但需可靠稳压的家电、仪表、LED驱动等场景。 注意：该器件为通孔封装（TR12表示编带包装），适合传统PCB插件工艺；额定功率500mW，使用时需确保功耗不超过降额限值（尤其高温环境）。因其参数成熟、供货稳定，常用于工业及汽车电子中的非安全关键子系统。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 13V 20% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ13D/TR12 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 9.9V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±20% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 13V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 4.5 欧姆 |
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