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- 型号： 3EZ130D2/TR8
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ130D2/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ130D2/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ130D2/TR8封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ130D2/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ130D2/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ130D2/TR8 是一款额定稳压值为130V、功率为3W的单齐纳二极管（Zener Diode），采用DO-41封装，带卷带包装（TR8）。其主要应用场景包括： - 高压稳压与基准电压源：适用于需稳定130V参考电压的电源电路，如工业控制设备、测试仪器中的高精度电压基准模块。 - 过压保护（OVP）与浪涌钳位：常用于开关电源、LED驱动器或电机驱动电路中，作为并联型保护器件，在输入/输出端异常升压时导通泄放能量，防止后级元件损坏。 - 电压箝位与信号限幅：在高压模拟信号调理电路中，用于限制信号摆幅，防止ADC输入或运放超量程。 - 电子镇流器与荧光灯驱动电路：提供启动/维持阶段所需的高压稳压或触发辅助功能。 - 电池管理系统（BMS）高压采样保护：用于多串锂电池组（如130V平台）的电压监测回路中，实现分压网络的基准稳定与过压防护。 该器件具有较陡的击穿特性与良好温度稳定性（典型TC ≈ +0.075%/°C），适合中等功率、非高频应用。注意：因稳压值较高，使用时需确保功耗不超过3W（建议降额至2W以内），并配合足够散热措施；不适用于低噪声或高动态响应场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 130V 2% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ130D2/TR8 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 98.8V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±2% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 130V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 375 欧姆 |
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