Datasheet下载- 型号： 3EZ12D10E3/TR8
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ12D10E3/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ12D10E3/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ12D10E3/TR8封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ12D10E3/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ12D10E3/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现为Microchip Technology旗下）的3EZ12D10E3/TR8是一款12V、1W额定功率的单齐纳二极管，采用DO-41封装，具有±5%电压容差和低动态阻抗特性。其典型应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：在低功耗模拟电路（如传感器信号调理、ADC参考源）中提供稳定12V基准电压； 2. 过压保护：与TVS或限流电阻配合，用于电源输入端钳位瞬态高压（如ESD或浪涌），保护后级IC； 3. 电源反馈环路：在小功率线性稳压器（如78L12外围）或开关电源次级反馈中辅助稳压精度； 4. 电平转换与箝位：在数字接口（如RS-232接收端）中将信号峰值限制在安全范围，防止器件击穿； 5. 工业与汽车电子：适用于车载充电模块、PLC输入保护、仪表盘电源等对可靠性要求较高的12V系统（符合AEC-Q200基础应力标准，但需确认具体批次认证）。 该器件工作结温范围宽（−65°C至+175°C），适合严苛环境；TR8表示卷带包装，便于自动化贴片生产。需注意：其1W功耗需配合适当散热（PCB铜箔面积≥1cm²），且不适用于大电流稳压场景（建议Iz < 80mA以保证寿命与精度）。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 12V 10% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ12D10E3/TR8 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 1µA @ 9.1V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±10% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 12V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 4.5 欧姆 |
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