Datasheet下载- 型号： 3EZ12D/TR8
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ12D/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ12D/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ12D/TR8封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ12D/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ12D/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ12D/TR8 是 Microsemi Corporation（现属 Microchip Technology）推出的 12V、3W 表面贴装齐纳二极管（单管），采用 DO-41 塑封封装（TR8 表示卷带包装）。其主要应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：在低功耗模拟电路中为ADC参考源、传感器供电或运算放大器偏置提供稳定12V基准电压；适用于对精度要求适中、成本敏感的场合。 2. 过压保护（OVP）：常与TVS或串联限流电阻配合，用作电源输入端的初级钳位器件，防止瞬态电压（如ESD、感应浪涌）损坏后级IC（如MCU、接口芯片）。 3. 电源反馈环路：在小功率线性稳压器（如78L12替代方案）或开关电源的光耦反馈电路中，作为误差检测/分压基准点。 4. 电平转换与箝位：在数字信号调理中限制GPIO或通信线路（如RS-232接收端）电压幅值，防止超范围输入。 该器件具有±5%标称容差（12V）、典型动态阻抗约15Ω、反向漏电流低（≤5μA @ 9.6V），适合工业控制、消费电子、通信模块及汽车电子（非安全关键系统）等中低端稳压与保护场景。注意：因功率仅3W且无散热片，不适用于持续大电流稳压；设计时需校核功耗与温升。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 12V 20% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ12D/TR8 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 1µA @ 9.1V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±20% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 12V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 4.5 欧姆 |
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