Datasheet下载- 型号： 3EZ120D5E3/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ120D5E3/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ120D5E3/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ120D5E3/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ120D5E3/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ120D5E3/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ120D5E3/TR12 是 Microsemi Corporation（现属 Microchip Technology）推出的单齐纳二极管，标称稳压值为120 V，功率为3 W，容差±5%，采用DO-41封装，卷带包装（TR12）。其典型应用场景包括： 1. 过压保护与钳位电路：用于电源输入端或敏感模拟/数字电路前级，将瞬态电压钳位在120 V附近，防止后级器件因浪涌或感应电压损坏。 2. 基准电压源：在中高压、低精度要求的工业控制、仪表或电源反馈环路中，提供稳定的参考电压（需配合限流电阻及滤波）。 3. 浪涌抑制与ESD防护辅助：常与TVS或MOV配合使用，作为二级精细钳位器件，提升系统EMC可靠性。 4. 线性稳压器辅助电路：在高压LDO或分立稳压电路中，为调整管基极/栅极提供偏置或稳压基准。 5. 测试与校准设备：在高压信号发生器、绝缘耐压测试仪等设备中，用作简易稳压或电压限制元件。 注意事项：该器件需严格按额定功耗设计限流电阻，避免热失效；不适用于高精度或低温漂场合（齐纳温度系数较大）；Microsemi已并入Microchip，技术支持与替代型号建议查阅Microchip官网（如Zener系列MMSZ/1N47xx兼容方案）。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 120V 5% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ120D5E3/TR12 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 91.2V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 120V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 300 欧姆 |
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