Datasheet下载- 型号： 3EZ120D2/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ120D2/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ120D2/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ120D2/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ120D2/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ120D2/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ120D2/TR12 是 Microsemi Corporation（现属 Microchip Technology）推出的单齐纳二极管，标称稳压值为120 V，额定功率为3 W（DO-41封装），具有低动态阻抗和良好温度稳定性。其典型应用场景包括： 1. 高压基准电压源：在精密电源、工业控制或测试设备中，为ADC参考、误差放大器提供稳定的120 V基准电压。 2. 过压保护与钳位电路：用于开关电源、电机驱动或通信接口的瞬态电压抑制（TVS辅助），在异常高压（如雷击感应、电感反冲）时钳位至120 V，保护后级MOSFET、IC等敏感器件。 3. 浪涌吸收与稳压调节：在高压DC链路（如变频器、LED驱动电源）中，配合限流电阻构成简易稳压/泄放回路，吸收能量并维持母线电压稳定。 4. 高压偏置电路：为光电耦合器、高压运算放大器或真空荧光显示器（VFD）等提供精确偏置电压。 需注意：该器件为玻璃钝化结构，可靠性高，但须严格遵守最大功耗（3 W）、峰值脉冲功率及散热要求；实际应用中建议留足电压裕量（如选用≥130 V系统耐压），并避免长期工作在接近极限参数状态。Microsemi原厂规格书强调其适用于工业与汽车级（AEC-Q200兼容）严苛环境，故常见于车载充电模块、工控PLC电源及医疗高压电源等场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 120V 2% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ120D2/TR12 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 91.2V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±2% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 120V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 300 欧姆 |
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