Datasheet下载- 型号： 3EZ120D/TR8
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ120D/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ120D/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ120D/TR8封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ120D/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ120D/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现已被Microchip收购）的3EZ120D/TR8是一款120V、3W高功率齐纳二极管（单管），采用DO-41封装，带卷带包装（TR8）。其典型应用场景包括： 1. 过压保护与稳压：在工业电源、通信设备或仪器仪表中，为敏感电路提供120V基准电压或钳位浪涌电压，防止后级IC或传感器因瞬态高压损坏。 2. 基准电压源：在精度要求不苛刻的模拟电路（如比较器阈值设定、ADC参考分压网络）中，作为低成本、高耐压的稳定参考点。 3. 浪涌/ESD箝位：配合TVS或RC网络，用于AC线路保护、继电器线圈反电动势吸收，或直流母线电压箝位，利用其3W额定功耗承受短时能量冲击。 4. 替代传统稳压方案：在无需低压差或高精度的场合（如老式电源反馈辅助绕组稳压、LED恒流偏置电路），替代多级稳压器件以简化设计。 需注意：该器件动态阻抗较高、温度系数较大（约0.075%/°C），不适用于高精度或低温漂场景；使用时须确保平均功耗≤3W，并加装散热措施（如PCB铜箔散热）以避免热失效。典型工作电流建议控制在1–20mA范围内以兼顾稳定性与寿命。 （字数：398）
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 120V 20% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ120D/TR8 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 91.2V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±20% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 120V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 300 欧姆 |
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