Datasheet下载- 型号： 3EZ11D10/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ11D10/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ11D10/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ11D10/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ11D10/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ11D10/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现已被Microchip收购）的型号3EZ11D10/TR12是一款齐纳二极管，标称稳压值为11V，额定功率为3W，采用DO-41封装，带卷带包装（TR12）。其典型应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：在低功耗线性稳压电路中作为基准源，为运算放大器、ADC/DAC或传感器供电电路提供稳定参考电压。 2. 过压保护（OVP）：与TVS或串联限流电阻配合，用于电源输入端的钳位保护，防止瞬态高压（如ESD或浪涌）损坏后级IC。 3. 信号电平箝位：在模拟/数字接口电路中限制信号摆幅（如将±12V信号箝位至0–11V范围），保护MCU GPIO或逻辑器件。 4. 电源反馈环路：在离线式AC-DC适配器或DC-DC转换器的光耦反馈路径中，辅助设定输出电压精度（常与TL431等配合使用）。 5. 工业控制与通信模块：适用于PLC I/O模块、RS-485收发器电源保护、仪表电源调理等对温度稳定性与长期可靠性要求较高的场景。该器件具有较优的温度系数（典型±0.07%/°C）和良好批次一致性，适合工业级应用。 注意：实际设计中需校核功耗（P = Vz × Iz）、散热条件及动态响应需求；若需更高精度或低温漂，建议评估更现代的基准芯片替代方案。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 11V 10% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ11D10/TR12 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 1µA @ 8.4V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±10% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 11V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 4 欧姆 |
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