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- 型号： 3EZ110DE3/TR8
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ110DE3/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ110DE3/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ110DE3/TR8封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ110DE3/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ110DE3/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ110DE3/TR8 是一款额定稳压值为110V、功率为3W的单齐纳二极管（Zener Diode），采用DO-41封装，符合AEC-Q200（汽车级）和RoHS标准。其典型应用场景包括： - 过压保护与钳位电路：在电源输入端或敏感模拟/数字电路前，用作瞬态电压抑制（TVS）辅助器件，限制异常高压（如浪涌、感应尖峰）至110V安全水平，保护后级IC或传感器。 - 高电压稳压参考源：在工业控制、仪表电源或高压DC-DC变换器反馈回路中，为误差放大器提供稳定基准电压（需配合限流电阻使用），适用于要求中等精度、非低温漂的场合。 - LED驱动恒流偏置：在高压LED串驱动电路中，与晶体管配合构成简单恒流源，利用其稳定击穿特性设定基准电流。 - 电池管理系统（BMS）高压采样分压网络：用于百伏级动力电池组的电压监测分压电路中，作为高阻抗参考节点，提升测量稳定性。 - 汽车电子辅助电路：因具备AEC-Q200认证，可用于车载12V/24V系统中的高压检测、ECU电源监控等非主控但需可靠性的子功能模块。 注意：该器件不适用于高频或大动态响应场景；实际应用中须严格保证散热（PCB铜箔面积≥25mm²）及串联限流电阻计算，避免超功耗失效。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 110V 20% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ110DE3/TR8 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 83.6V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±20% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 110V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 225 欧姆 |
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