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产品简介:
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3EZ100D2E3/TR8 是 Microsemi Corporation(现属 Microchip Technology)推出的单齐纳二极管,标称稳压值为100V,额定功率为3W(DO-41封装),具有±2%的精密容差(“D2”后缀表示该精度),并采用卷带包装(TR8)。其典型应用场景包括: - 高压电源稳压与基准:在工业电源、仪表电源或LED驱动电路中,为控制电路提供稳定的100V参考电压或箝位基准点。 - 过压保护(OVP)与浪涌抑制:与TVS或RC网络配合,用于保护后级敏感器件(如运放、ADC、MCU接口)免受瞬态高压(如开关噪声、感应尖峰)冲击。 - 电压箝位与限幅电路:在高压模拟信号调理、电机驱动反馈回路或开关电源反馈分压网络中,限制节点电压不超过100V,防止器件击穿。 - 替代高成本稳压方案:在对成本和空间敏感、但需中等功率(≤3W)、高精度(±2%)稳压的场合,可替代线性稳压器或分立稳压模块,简化设计。 该器件具备良好的高温稳定性(工作结温达+175°C)和低动态阻抗,适用于工业、通信电源及汽车电子(非安全关键系统)等严苛环境。注意:使用时须确保功耗不超3W(需合理计算平均功耗与散热条件),并避免反向电流长期接近最大额定值以保障寿命与可靠性。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 100V 2% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ100D2E3/TR8 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 76V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±2% |
| 封装/外壳 | DO-204AL,DO-41,轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-齐纳(标称值)(Vz) | 100V |
| 阻抗(最大值)(Zzt) | 160 欧姆 |