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  • 型号: 3EZ100D2E3/TR8
  • 制造商: American Microsemiconductor, Inc.
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ100D2E3/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ100D2E3/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ100D2E3/TR8封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载3EZ100D2E3/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有3EZ100D2E3/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

3EZ100D2E3/TR8 是 Microsemi Corporation(现属 Microchip Technology)推出的单齐纳二极管,标称稳压值为100V,额定功率为3W(DO-41封装),具有±2%的精密容差(“D2”后缀表示该精度),并采用卷带包装(TR8)。其典型应用场景包括:

- 高压电源稳压与基准:在工业电源、仪表电源或LED驱动电路中,为控制电路提供稳定的100V参考电压或箝位基准点。

- 过压保护(OVP)与浪涌抑制:与TVS或RC网络配合,用于保护后级敏感器件(如运放、ADC、MCU接口)免受瞬态高压(如开关噪声、感应尖峰)冲击。

- 电压箝位与限幅电路:在高压模拟信号调理、电机驱动反馈回路或开关电源反馈分压网络中,限制节点电压不超过100V,防止器件击穿。

- 替代高成本稳压方案:在对成本和空间敏感、但需中等功率(≤3W)、高精度(±2%)稳压的场合,可替代线性稳压器或分立稳压模块,简化设计。

该器件具备良好的高温稳定性(工作结温达+175°C)和低动态阻抗,适用于工业、通信电源及汽车电子(非安全关键系统)等严苛环境。注意:使用时须确保功耗不超3W(需合理计算平均功耗与散热条件),并避免反向电流长期接近最大额定值以保障寿命与可靠性。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

DIODE ZENER 3W 100V 2% DO-41

产品分类

单二极管/齐纳

品牌

Microsemi Commercial Components Group

数据手册

http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf

产品图片

产品型号

3EZ100D2E3/TR8

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同If时的电压-正向(Vf)

1.2V @ 200mA

不同 Vr时的电流-反向漏电流

500nA @ 76V

供应商器件封装

DO-41

功率-最大值

3W

包装

带卷 (TR)

安装类型

通孔

容差

±2%

封装/外壳

DO-204AL,DO-41,轴向

工作温度

-65°C ~ 150°C

标准包装

1,500

电压-齐纳(标称值)(Vz)

100V

阻抗(最大值)(Zzt)

160 欧姆

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