Datasheet下载- 型号： 3EZ100D2/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ100D2/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ100D2/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ100D2/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ100D2/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ100D2/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ100D2/TR12 是 Microsemi Corporation（现已被 Microchip 收购）推出的一款单齐纳二极管，标称稳压值为 100 V，额定功率为 3 W（DO-41 封装），具有低动态阻抗和良好温度稳定性。其典型应用场景包括： 1. 过压保护与钳位电路：在电源输入端或敏感模拟/数字接口处，用作瞬态电压抑制（TVS）辅助器件，配合 TVS 或 MOV 实现分级防护，将异常高压钳位于 100 V 左右，防止后级器件（如 LDO、MCU、ADC）受损。 2. 高电压基准源：在工业控制、测试仪器或高压电源反馈回路中，作为简易、低成本的参考电压源（需配限流电阻及滤波），为误差放大器或比较器提供稳定基准。 3. 稳压/分流调节：适用于小电流（≤30 mA）、非精密场合的并联稳压，例如高压偏置电路（如光电耦合器、真空荧光屏VFD驱动）、传感器供电或LED恒流源的电压设定点。 4. 浪涌吸收与缓冲：在继电器线圈、电磁阀或电机驱动感性负载关断时，提供续流路径并吸收反电动势，抑制电压尖峰。 注意：该器件未集成热关断或ESD增强设计，不适用于高频或高可靠性军工/汽车场景；实际使用需严格计算功耗、散热及长期老化漂移（齐纳电压温漂约±0.07%/°C）。建议查阅Microchip官方数据手册（原Microsemi DS3EZ100D2）确认最大峰值脉冲功率及降额曲线。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 100V 2% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ100D2/TR12 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 76V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±2% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 100V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 160 欧姆 |
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