Datasheet下载- 型号： 3EZ100D/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ100D/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ100D/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ100D/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ100D/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ100D/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现已被Microchip收购）的3EZ100D/TR12是一款100V、1.3W表面贴装齐纳二极管（单管），采用DO-41封装（TR12为编带卷盘包装）。其主要应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：在低功耗电源中为参考电路（如ADC/DAC基准、传感器供电）提供稳定100V齐纳电压，适用于对精度要求不苛刻但需高耐压的场合。 2. 过压保护（OVP）：常与可控硅（SCR）或晶闸管配合构成“撬棍电路”（Crowbar），当输入电压异常升高（如达100V以上）时触发保护，防止后级敏感器件损坏，广泛用于工业电源、通信设备电源模块。 3. 浪涌钳位与箝位保护：在继电器线圈、感性负载关断或ESD防护电路中，吸收反向电动势或瞬态高压，限制电压峰值不超过100V，提升系统可靠性。 4. 信号电平限制：在模拟前端或接口电路中，限制输入信号幅度，防止超量程损坏运放或MCU引脚（需注意功率限制，仅适用于低能量瞬态）。 注意事项：该器件最大耗散功率为1.3W，需合理设计散热及限流电阻；齐纳电压容差典型±5%，温度系数较高（约+0.08%/°C），不适用于高精度基准；DO-41封装为通孔型（非SMD），TR12表示编带包装，实际装配仍为插件工艺。适用于工业控制、电源适配器、测试仪器等中高压、中低频保护场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 100V 20% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ100D/TR12 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 76V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±20% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 100V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 160 欧姆 |
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