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- 型号： 2SK3491-TL-E
- 制造商： SANYO Semiconductor Company
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2SK3491-TL-E由SANYO Semiconductor Company设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SK3491-TL-E价格参考。SANYO Semiconductor Company2SK3491-TL-E封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载2SK3491-TL-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2SK3491-TL-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor（安森美）的2SK3491-TL-E是一款N沟道MOSFET，属于射频场效应晶体管（RF FET），广泛应用于高频信号放大和射频功率处理场景。该器件具备低噪声、高增益和优良的高频特性，适用于VHF（甚高频）和UHF（特高频）频段。 典型应用场景包括：电视调谐器、有线电视（CATV）设备、卫星接收器、地面数字电视接收模块以及各类宽带射频放大电路。在这些系统中，2SK3491-TL-E常用于前端低噪声放大（LNA），以提升信号接收灵敏度和抗干扰能力。其封装形式为小型表面贴装（如SOT-343），适合高密度PCB布局，有利于缩小设备体积。 此外，该器件还适用于需要低功耗、高性能的无线通信模块，如远程信息处理系统、射频识别（RFID）读写器前端及部分民用通信设备。由于其良好的稳定性和温度适应性，也常见于环境要求较高的家庭娱乐和广播接收装置中。 总之，2SK3491-TL-E主要面向消费类电子中的射频信号接收与放大应用，特别适合对信号清晰度和系统稳定性有较高要求的场景。
产品参数
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