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  • 型号: 2SD2654TLV
  • 制造商: ROHM Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供2SD2654TLV由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SD2654TLV价格参考。ROHM Semiconductor2SD2654TLV封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载2SD2654TLV参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有2SD2654TLV 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Rohm Semiconductor的2SD2654TLV是一款双极型晶体管(BJT),属于单晶体管类型,广泛应用于需要高性能、高可靠性的电路设计中。以下是该型号的主要应用场景:

1. 功率放大器:  
   2SD2654TLV具有较高的电流增益和良好的频率特性,适合用于音频功率放大器或射频(RF)功率放大器中,能够提供稳定的输出功率和较低的失真。

2. 开关电路:  
   在开关应用中,该晶体管可以作为高速开关元件使用,例如在DC-DC转换器、PWM控制器或驱动电路中,实现高效的电平转换和信号控制。

3. 信号放大:  
   由于其优异的增益特性和低噪声性能,2SD2654TLV适用于各种信号放大场景,如传感器信号放大、音频前置放大等。

4. 驱动电路:  
   该晶体管可用于驱动继电器、小型电机或其他负载设备,提供足够的电流驱动能力以确保稳定运行。

5. 通信设备:  
   在无线通信领域,2SD2654TLV可应用于射频模块中的功率放大或信号调制解调电路,满足高频工作的需求。

6. 工业控制:  
   在工业自动化系统中,这款晶体管可用于控制信号传输、保护电路以及电源管理等关键环节。

7. 消费电子:  
   包括家用音响设备、电视、游戏机等在内的消费电子产品中,2SD2654TLV可用于音频处理、电源管理和接口驱动等功能模块。

总结来说,2SD2654TLV凭借其出色的电气性能和稳定性,适用于多种需要高效功率转换、信号处理及控制的场景,尤其在要求高增益、低噪声和宽频率范围的应用中表现出色。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

TRANS NPN 50V 150MA SOT-416两极晶体管 - BJT NPN 50V 150MA

产品分类

晶体管(BJT) - 单路分离式半导体

品牌

Rohm Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,ROHM Semiconductor 2SD2654TLV-

数据手册

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产品型号

2SD2654TLV

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

300mV @ 5mA,50mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

820 @ 1mA,5V

产品目录绘图

产品目录页面

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产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

EMT3

其它名称

2SD2654TLVCT

功率-最大值

150mW

包装

剪切带 (CT)

发射极-基极电压VEBO

12 V

商标

ROHM Semiconductor

增益带宽产品fT

250 MHz

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

SC-75,SOT-416

封装/箱体

SC-75A

工厂包装数量

3000

晶体管极性

NPN

晶体管类型

NPN

最大功率耗散

150 mW

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

0.15 A

标准包装

1

电压-集射极击穿(最大值)

50V

电流-集电极(Ic)(最大值)

150mA

电流-集电极截止(最大值)

300nA(ICBO)

直流电流增益hFE最大值

820 at 1 mA at 5 V

直流集电极/BaseGainhfeMin

820

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

50 V

集电极—基极电压VCBO

60 V

集电极连续电流

0.15 A

频率-跃迁

250MHz

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