Datasheet下载- 型号： 2SC5712(TE12L,F)
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2SC5712(TE12L,F)由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SC5712(TE12L,F)价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.2SC5712(TE12L,F)封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载2SC5712(TE12L,F)参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2SC5712(TE12L,F) 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANSISTOR NPN 50V 3A SC-62两极晶体管 - BJT NPN 100V VCBO 50V VCEO 3A IC |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ToshibaToshiba Semiconductor and Storage |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Toshiba 2SC5712(TE12L,F)- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 2SC5712(TE12L,F)2SC5712(TE12L,F) |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 140mV @ 20mA，1A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 400 @ 300mA，2V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | PW-MINI |
| 功率-最大值 | 1W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 发射极-基极电压VEBO | 7 V |
| 商标 | Toshiba |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-243AA |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 1 W |
| 最大直流电集电极电流 | 3 A |
| 标准包装 | 1,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 3A |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 400 |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 100 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 0.14 V |
| 集电极连续电流 | 0.3 A |
| 频率-跃迁 | - |
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