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详细数据请看参考数据手册
- 型号： 2PA1774Q,115
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2PA1774Q,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2PA1774Q,115价格参考。NXP Semiconductors2PA1774Q,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载2PA1774Q,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2PA1774Q,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NXP USA Inc. 的2PA1774Q,115是一款高性能硅锗（SiGe）射频双极性晶体管（BJT），主要用于高频、低噪声放大应用。该器件适用于工作频率高达数GHz的无线通信系统，广泛应用于移动通信基础设施、微波点对点链路、卫星通信和宽带网络设备中。 其典型应用场景包括蜂窝基站的低噪声放大器（LNA）、接收前端模块以及需要高增益和优异线性度的射频信号放大环节。2PA1774Q,115具有低噪声系数和高功率增益特性，有助于提升系统灵敏度和信号接收质量，尤其适合在弱信号环境下稳定工作。 此外，该晶体管采用小型表面贴装封装，具备良好的热稳定性和可靠性，适合紧凑型高频电路设计。常用于5G通信设备、无线回传系统及工业级射频模块中，满足严苛环境下的长期运行需求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANSISTOR PNP 50V 150MA SC-75两极晶体管 - BJT TRANS GP TAPE-7 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors 2PA1774Q,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 2PA1774Q,115 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 200mV @ 5mA，50mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 120 @ 1mA，6V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SC-75 |
| 其它名称 | 2PA1774Q T/R |
| 功率-最大值 | 150mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 发射极-基极电压VEBO | 6 V |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 增益带宽产品fT | 100 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-75，SOT-416 |
| 封装/箱体 | SOT-416 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP |
| 最大功率耗散 | 150 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.15 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 150mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流电流增益hFE最大值 | 120 at 1 mA at 6 V |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 120 at 1 mA at 6 V |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 60 V |
| 零件号别名 | 2PA1774Q T/R |
| 频率-跃迁 | 100MHz |
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