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2N5551RL1G产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供2N5551RL1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2N5551RL1G价格参考。ON Semiconductor2N5551RL1G封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, 双极 (BJT) 晶体管 NPN 160V 600mA 300MHz 625mW 通孔 TO-92-3。您可以下载2N5551RL1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有2N5551RL1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
2N5551RL1G 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的双极型晶体管(BJT),属于单个晶体管类型。它是一种 NPN 型晶体管,广泛应用于各种电子电路中。以下是其主要应用场景: 1. 放大器电路 - 音频放大:2N5551RL1G 可用于设计低频和中频的音频放大器,适合于耳机驱动、小型扬声器等场景。 - 信号放大:该晶体管能够放大微弱的电信号,适用于传感器信号放大、射频(RF)信号处理等。 2. 开关电路 - 数字逻辑控制:作为开关元件,2N5551RL1G 能够在数字电路中实现简单的开/关功能,例如继电器驱动、LED 控制等。 - 负载切换:可用于控制小型电机、电磁阀或 LED 灯条的通断。 3. 电源管理 - 稳压电路:配合其他元件(如齐纳二极管)使用,可构建简易的稳压电路,为低功耗设备提供稳定的电压。 - 电流限制:通过设置合适的电阻值,2N5551RL1G 可用于限制电路中的电流,保护敏感元件。 4. 高频应用 - 振荡器:由于其较高的频率特性(fT = 300 MHz),2N5551RL1G 可用于构建振荡器电路,例如 LC 振荡器或 RC 振荡器。 - 调制与解调:适用于 AM/FM 调制解调电路,以及无线通信中的信号处理。 5. 测试与测量 - 信号发生器:在实验室环境中,2N5551RL1G 可用作信号发生器的核心元件,生成正弦波、方波等信号。 - 探头放大:在示波器探头或其他测量设备中,可用作前置放大器以提高灵敏度。 6. 教育与实验 - 教学用途:该晶体管常用于基础电子课程的教学实验,帮助学生理解 BJT 的工作原理和实际应用。 - DIY 项目:适合业余爱好者进行简单电子项目的开发,例如制作简易收音机、闪烁灯电路等。 总结 2N5551RL1G 具有高增益、宽频率范围和良好的线性特性,适用于多种场景,包括放大、开关、电源管理和高频电路。其低成本和高可靠性使其成为工程师和爱好者的理想选择。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | TRANS NPN SS GP 0.6A 160V TO-92两极晶体管 - BJT 600mA 180V NPN |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor 2N5551RL1G- |
数据手册 | |
产品型号 | 2N5551RL1G |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 200mV @ 5mA,50mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 80 @ 10mA,5V |
产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
供应商器件封装 | TO-92-3 |
其它名称 | 2N5551RL1GOSCT |
功率-最大值 | 625mW |
包装 | 剪切带 (CT) |
发射极-基极电压VEBO | 6 V |
商标 | ON Semiconductor |
增益带宽产品fT | 300 MHz |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线 |
封装/箱体 | TO-92-3 (TO-226) |
工厂包装数量 | 2000 |
晶体管极性 | NPN |
晶体管类型 | NPN |
最大功率耗散 | 625 mW |
最大工作温度 | + 150 C |
最大直流电集电极电流 | 0.6 A |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
电压-集射极击穿(最大值) | 160V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 600mA |
电流-集电极截止(最大值) | - |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 80 |
系列 | 2N5551 |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 160 V |
集电极—基极电压VCBO | 180 V |
集电极—射极饱和电压 | 0.25 V |
集电极连续电流 | 0.6 A |
频率-跃迁 | 300MHz |