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  • 型号: 2N3811U
  • 制造商: American Microsemiconductor, Inc.
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供2N3811U由American Microsemiconductor, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2N3811U价格参考。American Microsemiconductor, Inc.2N3811U封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载2N3811U参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有2N3811U 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Microsemi Corporation(现为Microchip Technology的一部分)生产的2N3811U是一款双极型晶体管(BJT)阵列,广泛应用于各种电子电路中。以下是其主要应用场景:

 1. 信号放大
   - 2N3811U可以用于音频和射频信号的放大。由于其具有良好的增益特性,适合在低噪声、高增益需求的场景中使用,例如音频前置放大器或射频信号增强。

 2. 开关应用
   - 在数字电路中,该晶体管可以用作开关元件。它能够快速切换状态,适用于驱动继电器、LED或其他低功率负载。

 3. 电源管理
   - 该晶体管可用于简单的电压调节或电流限制电路。通过调整基极电流,可以实现对输出电压或电流的精确控制。

 4. 振荡器与频率生成
   - 2N3811U可用作振荡器的核心元件,生成稳定的频率信号。这在时钟电路、无线通信模块和其他需要精确频率的应用中非常有用。

 5. 混频与调制
   - 在射频和中频电路中,该晶体管可作为混频器或调制器的一部分,用于处理复杂的信号变换任务。

 6. 测试与测量设备
   - 在一些测试仪器中,如示波器或信号发生器,2N3811U可能被用作信号调理或放大的关键组件。

 7. 教育与实验
   - 由于其通用性和稳定性,这款晶体管也常用于教学实验室和学生项目中,帮助学习者理解双极型晶体管的工作原理。

 总结
2N3811U凭借其可靠的性能和广泛的适用性,在消费电子、工业控制、通信设备以及教育领域均有广泛应用。具体选择时需根据实际电路需求考虑其电气参数,如集电极-发射极击穿电压、最大集电极电流和功耗等。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS NPN DL 60V 50MA TO-78

产品分类

晶体管(BJT) - 阵列

品牌

Microsemi Commercial Components Group

数据手册

http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/8931-lds-0118-pdf

产品图片

产品型号

2N3811U

rohs

含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

250mV @ 100µA, 1mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

300 @ 1mA,5V

供应商器件封装

TO-78-6

功率-最大值

350mW

包装

散装

安装类型

通孔

封装/外壳

TO-78-6 金属罐

晶体管类型

2 PNP(双)

标准包装

1

电压-集射极击穿(最大值)

60V

电流-集电极(Ic)(最大值)

50mA

电流-集电极截止(最大值)

10µA (ICBO)

频率-跃迁

-

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