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Datasheet下载- 型号： 2DB1132R-13
- 制造商： Diodes Inc.
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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2DB1132R-13产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2DB1132R-13由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2DB1132R-13价格参考。Diodes Inc.2DB1132R-13封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单， 双极 (BJT) 晶体管 PNP 32V 1A 190MHz 1W 表面贴装 SOT-89-3。您可以下载2DB1132R-13参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2DB1132R-13 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated的型号为2DB1132R-13的晶体管属于双极型晶体管（BJT），是一种单晶体管器件。该器件广泛应用于各类电子电路中，主要用途包括信号放大、开关控制等基础功能。 其主要应用场景包括： 1. 电源管理电路：用于DC-DC转换器、电压调节器等电路中，作为开关元件使用，具有良好的开关特性和较低的导通压降。 2. 放大电路：在音频放大器、射频信号放大器等模拟电路中作为小信号放大元件，具有较高的增益带宽积。 3. 数字开关电路：用于逻辑电路或微控制器外围电路中，控制LED、继电器、小型电机等负载的通断。 4. 汽车电子系统：如车载电源系统、照明控制、传感器信号处理等，因其具备一定的耐压和温度稳定性，适合在车载环境中使用。 5. 消费类电子产品：如手机充电器、家用电器控制板、小型电子玩具等，适用于需要小功率晶体管进行信号处理或负载驱动的场合。 该晶体管采用SOT-23封装，体积小巧，便于表面贴装，适合高密度PCB布局。具体使用时需参考其数据手册，确保工作电流、电压及功耗在安全范围内。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANSISTOR BIPO PNP 32V SOT89-3两极晶体管 - BJT 1000W -32Vceo |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Diodes Incorporated 2DB1132R-13- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 2DB1132R-13 |
| PCN其它 | |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 500mV @ 50mA，500mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 180 @ 100mA，3V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SOT-89-3 |
| 其它名称 | 2DB1132RDIDKR |
| 其它图纸 |
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| 功率-最大值 | 1W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 增益带宽产品fT | 190 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-243AA |
| 封装/箱体 | SOT-89 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP |
| 最大功率耗散 | 1000 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 1 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 32V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 1A |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 180 |
| 系列 | 2DB1132 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 32 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 40 V |
| 频率-跃迁 | 190MHz |
