Datasheet下载- 型号： 1PMT4135E3/TR7
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供1PMT4135E3/TR7由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 1PMT4135E3/TR7价格参考。American Microsemiconductor, Inc.1PMT4135E3/TR7封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载1PMT4135E3/TR7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有1PMT4135E3/TR7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现为Microchip子公司）的1PMT4135E3/TR7是一款集成了齐纳二极管和晶体管的复合器件，属于二极管中的齐纳（稳压）类型，常用于电压检测和保护电路。其典型应用场景包括： 1. 电源管理与过压保护：用于检测电源电压是否超过安全阈值，并在过压时触发保护机制，如关闭系统或切换至备用电源，保障设备安全。 2. 电池管理系统（BMS）：在电池组中监测单节或多个电池的电压，防止过充或过放，延长电池寿命，适用于电动汽车、储能系统等。 3. 工业控制电路：用于工业设备中的电压监控，确保控制系统在设定电压范围内运行，避免异常电压导致的故障。 4. 通信设备：在基站、路由器等设备中作为电压参考或保护元件，维持信号稳定性，防止电压波动影响数据传输。 5. 消费电子：如智能手机、笔记本电脑中，用于精密电压调节，确保低功耗元件安全运行。 该器件通过集成齐纳二极管与晶体管，简化了电路设计，提高了响应速度和可靠性，适用于需要紧凑设计和高稳定性的场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 100V 1W DO-216 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10029-msc0994-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 1PMT4135E3/TR7 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | POWERMITE® |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.1V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 10nA @ 76V |
| 供应商器件封装 | DO-216 |
| 功率-最大值 | 1W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | DO-216AA |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 100V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 250 欧姆 |
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