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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供1PMT4135E3/TR13由American Microsemiconductor, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 1PMT4135E3/TR13价格参考。American Microsemiconductor, Inc.1PMT4135E3/TR13封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载1PMT4135E3/TR13参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有1PMT4135E3/TR13 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation(现为Microchip子公司)的1PMT4135E3/TR13是一款集成单个齐纳二极管的半导体器件,主要用于电压参考和电压钳位应用。该器件广泛应用于需要稳定参考电压或过压保护的电子系统中。 典型应用场景包括: 1. 电压参考:提供稳定的基准电压,用于模拟电路、电源管理模块、ADC/DAC参考电压源等。 2. 电源保护电路:在电源管理系统中用作过压保护(OVP)器件,防止电压异常对后级电路造成损害。 3. 信号调理电路:在传感器接口或信号处理电路中用于限制信号幅度,确保信号在安全范围内。 4. 通信设备:用于通信模块中的电压钳位和保护,防止静电放电(ESD)或瞬态电压损坏敏感电路。 5. 工业控制系统:用于PLC、工控设备中的电压监控和稳定,确保系统运行的可靠性。 该器件采用小尺寸封装,适合高密度PCB设计,适用于消费电子、工业控制、通信设备和汽车电子等领域。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | DIODE ZENER 100V 1W DO-216 |
产品分类 | 单二极管/齐纳 |
品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10029-msc0994-pdf |
产品图片 | |
产品型号 | 1PMT4135E3/TR13 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | POWERMITE® |
不同If时的电压-正向(Vf) | 1.1V @ 200mA |
不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 10nA @ 76V |
供应商器件封装 | DO-216 |
功率-最大值 | 1W |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
容差 | ±5% |
封装/外壳 | DO-216AA |
工作温度 | -55°C ~ 150°C |
标准包装 | 12,000 |
电压-齐纳(标称值)(Vz) | 100V |
阻抗(最大值)(Zzt) | 250 欧姆 |