Datasheet下载- 型号： 1N6483HE3/97
- 制造商： Vishay
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供1N6483HE3/97由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 1N6483HE3/97价格参考。Vishay1N6483HE3/97封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载1N6483HE3/97参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有1N6483HE3/97 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB |
| 产品分类 | 单二极管/整流器 |
| 品牌 | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | 1N6483HE3/97 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | SUPERECTIFIER® |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.1V @ 1A |
| 不同 Vr、F时的电容 | 8pF @ 4V，1MHz |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 10µA @ 800V |
| 二极管类型 | 标准 |
| 供应商器件封装 | DO-213AB |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 反向恢复时间(trr) | - |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | DO-213AB，MELF |
| 工作温度-结 | -65°C ~ 175°C |
| 标准包装 | 5,000 |
| 电压-DC反向(Vr)（最大值） | 800V |
| 电流-平均整流(Io) | 1A |
| 速度 | 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） |
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