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详细数据请看参考数据手册
- 型号： 1N6053
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供1N6053由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 1N6053价格参考。American Microsemiconductor, Inc.1N6053封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载1N6053参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有1N6053 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation的1N6053是一款瞬态电压抑制二极管（TVS二极管），主要用于电路中的过电压保护。该器件属于高可靠性TVS产品系列，具有快速响应时间和高浪涌吸收能力，适用于需要防护静电放电（ESD）、雷击感应、电感负载切换等瞬态干扰的场景。 1N6053常用于通信设备、工业控制系统、电源模块和消费类电子产品中，例如保护数据传输线路（如RS-232、USB接口）、电源输入端口及敏感半导体器件免受瞬态高压冲击。其稳定性能和耐用性也使其在航空航天、军事电子和高要求工业环境中得到应用。 由于Microsemi以生产高性能、高可靠性的半导体器件著称，1N6053特别适合对系统安全性和稳定性要求较高的场合，能够有效延长设备寿命并提升整体可靠性。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电路保护 |
| 描述 | TVS DIODE 31VWM 56.4VC DO13 |
| 产品分类 | TVS - 二极管 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/8923-lds-0097-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 1N6053 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同频率时的电容 | - |
| 供应商器件封装 | DO-13 |
| 其它名称 | 1N6053MS |
| 功率-峰值脉冲 | 1500W （1.5kW） |
| 包装 | 散装 |
| 单向通道 | - |
| 双向通道 | 1 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | DO-13 |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C |
| 应用 | 通用 |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-击穿（最小值） | 35.1V |
| 电压-反向关态（典型值） | 31V |
| 电压-箝位（最大值）@Ipp | 56.4V |
| 电流-峰值脉冲(10/1000µs) | 26.5A |
| 电源线路保护 | 无 |
| 类型 | 齐纳 |
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