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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供1N5956BG由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 1N5956BG价格参考。ON Semiconductor1N5956BG封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载1N5956BG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有1N5956BG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
1N5956BG 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的单齐纳二极管,属于 1N5956B 系列。该型号的齐纳二极管具有以下典型应用场景: 1. 电压稳压 - 1N5956BG 的齐纳电压为 8.2V(±5%),适合用于电路中的电压稳压功能。它可以通过将反向电压钳位在特定值来稳定输出电压,广泛应用于电源电路中,确保负载设备获得稳定的供电。 2. 过压保护 - 在电子电路中,1N5956BG 可以用作过压保护器件。当输入电压超过齐纳电压时,二极管会导通并将电压限制在安全范围内,从而保护下游敏感元件免受过高电压的影响。 3. 信号电平调整 - 在信号处理电路中,齐纳二极管可以用来调整信号电平。例如,在音频或射频电路中,1N5956BG 可以将信号电压限制在 8.2V 左右,防止信号幅度过大导致失真或损坏后续电路。 4. 参考电压源 - 齐纳二极管可以作为简单的参考电压源使用。1N5956BG 提供的 8.2V 齐纳电压可以用作比较器、运算放大器或其他模拟电路的基准电压。 5. 浪涌抑制 - 在某些工业或汽车应用中,1N5956BG 可以用于抑制瞬态电压浪涌。例如,在开关电源或电机驱动电路中,它可以吸收由于感性负载引起的电压尖峰。 6. 电池充电保护 - 在低功率电池充电电路中,齐纳二极管可用于监控和限制充电电压,确保电池不会因过充而受损。1N5956BG 的 8.2V 齐纳电压适合一些需要较低保护电压的应用。 7. 温度补偿电路 - 齐纳二极管的特性可能随温度变化,但通过适当的电路设计,1N5956BG 可以与其他元件配合实现温度补偿功能,确保电路性能在不同温度下保持稳定。 总结 1N5956BG 的主要应用场景集中在电压稳压、过压保护、信号电平调整、参考电压源等方面。其 8.2V 的齐纳电压和较高的可靠性使其适用于各种消费电子、工业控制、通信设备以及汽车电子领域的小功率电路设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE ZENER 200V 3W AXIAL稳压二极管 200V 3W |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,ON Semiconductor 1N5956BG- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 1N5956BG |
| PCN设计/规格 | |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.5V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 1µA @ 152V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 稳压二极管 |
| 供应商器件封装 | 轴向 |
| 其它名称 | 1N5956BG-ND |
| 功率-最大值 | 3W |
| 功率耗散 | 3 W |
| 包装 | 散装 |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 容差 | ±5% |
| 封装 | Bulk |
| 封装/外壳 | DO-204AL,DO-41,轴向 |
| 封装/箱体 | DO-41 |
| 工作温度 | -65°C ~ 200°C |
| 工厂包装数量 | 2000 |
| 最大反向漏泄电流 | 1 uA |
| 最大工作温度 | + 200 C |
| 最大齐纳阻抗 | 1.2 kOhms |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 2,000 |
| 电压-齐纳(标称值)(Vz) | 200V |
| 电压容差 | 5 % |
| 系列 | 1N5956B |
| 配置 | Single |
| 阻抗(最大值)(Zzt) | 1200 欧姆 |
| 齐纳电压 | 200 V |
| 齐纳电流 | 7 mA |