Datasheet下载- 型号： 1N5927BRLG
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供1N5927BRLG由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 1N5927BRLG价格参考。ON Semiconductor1N5927BRLG封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载1N5927BRLG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有1N5927BRLG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
1N5927BRLG是由ON Semiconductor（安森美半导体）生产的一款齐纳二极管，属于“二极管 - 齐纳 - 单”类别。其主要应用场景包括： 1. 电压稳压： 1N5927BRLG的齐纳击穿电压为4.7V，适合用于电路中的电压稳压功能。它可以确保负载电压保持在稳定水平，适用于低功率电子设备中的参考电压生成。 2. 过压保护： 在电源或信号线路中，该齐纳二极管可以用来防止过高的电压对敏感元件造成损坏。例如，在USB接口、传感器输入端或通信电路中提供保护。 3. 信号电平调节： 通过将齐纳二极管与电阻配合使用，可以实现信号电平的调整。这种应用常见于音频放大器、数据传输线路和模拟信号处理电路中。 4. 基准电压源： 由于其稳定的击穿特性，1N5927BRLG可以用作简单的基准电压源，为运放电路、比较器或其他需要精确电压参考的应用提供支持。 5. 电源监控电路： 在电池供电设备或嵌入式系统中，齐纳二极管可用于检测电池电压是否低于或高于设定值，从而触发相应的保护机制。 6. 噪声抑制： 在高频电路中，齐纳二极管可以用于吸收瞬态电压尖峰，减少电磁干扰（EMI）的影响，提高系统的抗噪能力。 总结来说，1N5927BRLG是一款性能可靠、成本低廉的齐纳二极管，广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子和通信设备等领域，尤其适合需要简单电压调节或保护功能的场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE ZENER 12V 3W AXIAL稳压二极管 12V 3W |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,ON Semiconductor 1N5927BRLG- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 1N5927BRLG |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.5V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 1µA @ 9.1V |
| 产品种类 | Diodes- Zener |
| 供应商器件封装 | 轴向 |
| 其它名称 | 1N5927BRLGOSCT |
| 功率-最大值 | 3W |
| 功率耗散 | 3 W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 容差 | ±5% |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 封装/箱体 | DO-41 |
| 工作温度 | -65°C ~ 200°C |
| 工厂包装数量 | 6000 |
| 最大反向漏泄电流 | 1 uA |
| 最大工作温度 | + 200 C |
| 最大齐纳阻抗 | 6.5 Ohms |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 12V |
| 电压容差 | 5 % |
| 系列 | 1N5927B |
| 配置 | Single |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 6.5 欧姆 |
| 齐纳电压 | 12 V |
| 齐纳电流 | 125 mA |
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