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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供1N5802US由American Microsemiconductor, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 1N5802US价格参考。American Microsemiconductor, Inc.1N5802US封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载1N5802US参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有1N5802US 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
1N5802US是Semtech Corporation生产的一款肖特基势垒二极管,属于二极管-整流器-单类器件。该型号具有低正向压降(约0.45V)和高效率特性,适用于对能效要求较高的电源转换场景。 主要应用场景包括:开关电源(SMPS)中的续流与整流电路、DC-DC转换器、逆变器电源、极性保护电路以及消费类电子产品(如电视、机顶盒、路由器等)的电源模块。由于其高达3A的平均整流电流和反向耐压为20V的特点,1N5802US特别适合低压大电流的整流需求。 此外,该器件采用DO-201AD封装,具备良好的散热性能和可靠性,可在工业控制设备、汽车电子辅助系统及照明电源中稳定工作。其快速恢复特性减少了开关损耗,提升了系统整体效率。 综上,1N5802US广泛应用于需要高效、低功耗整流功能的中低电压电源系统中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE RECT 50V 1A REC D5A |
| 产品分类 | 单二极管/整流器 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/132687-lds-0211-1 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | 1N5802US |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 875mV @ 1A |
| 不同 Vr、F时的电容 | 25pF @ 10V,1MHz |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 1µA @ 50V |
| 二极管类型 | 标准 |
| 供应商器件封装 | D-5A |
| 包装 | 散装 |
| 反向恢复时间(trr) | 25ns |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SQ-MELF, A |
| 工作温度-结 | -65°C ~ 175°C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-DC反向(Vr)(最大值) | 50V |
| 电流-平均整流(Io) | 1A |
| 速度 | 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) |