Datasheet下载- 型号： 1N5387BE3/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供1N5387BE3/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 1N5387BE3/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.1N5387BE3/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载1N5387BE3/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有1N5387BE3/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现为Microchip Technology旗下公司）生产的1N5387BE3/TR12是一款齐纳二极管，属于1N5300系列，标称齐纳电压为24V，功率为500mW。该器件主要用于电压基准、过压保护和稳压电路中。 典型应用场景包括： 1. 电源稳压：在低功耗电源电路中作为参考电压源，确保输出电压稳定，适用于DC-DC转换器或线性稳压器的反馈回路。 2. 过压保护：用于敏感电子元件（如IC、传感器）前级电路，当电压超过24V时导通泄流，防止后续电路损坏。 3. 信号钳位：在通信接口或模拟信号线路中限制电压幅度，避免瞬态高压造成干扰或损伤。 4. 消费类电子产品：如家用电器控制板、充电器等，提供可靠的电压箝位与保护功能。 5. 工业控制设备：用于PLC模块、传感器供电单元中，增强系统抗干扰能力与稳定性。 该型号采用SOD-123封装，体积小，适合高密度贴装，且符合RoHS环保标准，广泛应用于对空间和可靠性要求较高的场合。其±5%的电压容差确保了良好的一致性，适用于中等精度的稳压需求。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 5.0W 190V 5% T-18 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 1N5387BE3/TR12 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 1A |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 137V |
| 供应商器件封装 | T-18 |
| 功率-最大值 | 5W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | T-18，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 190V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 450 欧姆 |
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