Datasheet下载- 型号： 1N5386BE3/TR8
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供1N5386BE3/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 1N5386BE3/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.1N5386BE3/TR8封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载1N5386BE3/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有1N5386BE3/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
1N5386BE3/TR8 是由 Microsemi Corporation（现为 Microchip Technology）生产的一款单齐纳二极管。它属于 1N5386 系列，具有以下典型参数：齐纳电压（Vz）为 7.5V，功率耗散为 5W，并采用 TO-243AA 封装形式。这种齐纳二极管适用于多种电路保护和稳压应用场景，以下是其主要用途： 1. 电压稳压 - 在电源电路中，1N5386BE3/TR8 可用于提供稳定的参考电压。例如，在低压电路中，它能够将输出电压稳定在 7.5V 左右，确保负载设备的正常运行。 - 常见应用包括简单的线性稳压器、基准电压源或辅助电源设计。 2. 过压保护 - 该齐纳二极管可以保护敏感电子元件免受过压损害。当输入电压超过 7.5V 时，二极管导通并将多余电流分流到地，从而保护后续电路。 - 应用于传感器接口、通信线路或信号传输链路中的保护电路。 3. 信号电平调节 - 在模拟电路中，齐纳二极管可用于限制信号的幅值。例如，在音频或射频电路中，它可以防止信号超过特定电平，避免失真或损坏后级放大器。 4. 浪涌抑制 - 由于其较高的功率耗散能力（5W），1N5386BE3/TR8 能够有效吸收瞬态电压浪涌。这使其成为工业控制、汽车电子或其他高噪声环境下的理想选择。 5. 温度补偿电路 - 齐纳二极管的齐纳电压会随着温度变化而略有漂移。通过合理设计，1N5386BE3/TR8 可与其他温度敏感元件配合使用，构建温度补偿电路。 注意事项： - 使用时需确保散热良好，尤其是在大功率应用中，可能需要加装散热片。 - 根据具体电路需求，选择合适的限流电阻以保护齐纳二极管不过载。 总之，1N5386BE3/TR8 适合用作低成本、高性能的稳压和保护解决方案，广泛应用于消费电子、工业自动化、通信设备等领域。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 5.0W 180V 5% T-18 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 1N5386BE3/TR8 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 1A |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 130V |
| 供应商器件封装 | T-18 |
| 功率-最大值 | 5W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | T-18，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 180V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 430 欧姆 |
推荐商品
热门文章
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
1N5386BE3/TR8 相关产品
猜你喜欢
最新产品推荐
其他制造商