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  • 型号: 1N5365BE3/TR12
  • 制造商: American Microsemiconductor, Inc.
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供1N5365BE3/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 1N5365BE3/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.1N5365BE3/TR12封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载1N5365BE3/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有1N5365BE3/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Microsemi Corporation(现为Littelfuse子公司)的1N5365BE3/TR12是一款齐纳二极管,属于单颗齐纳二极管类型。该器件主要用于电压调节和保护电路中,具有稳定的击穿电压特性。

其典型应用场景包括:

1. 电源稳压:用于低压直流电源中,提供基准电压或进行简单稳压,确保后续电路在稳定电压下工作。

2. 过压保护:在敏感电子设备中作为电压钳位元件,防止瞬态高压对电路造成损坏。

3. 参考电压源:在模拟电路、ADC/DAC系统中提供精确的参考电压,保证信号转换的准确性。

4. 嵌入式系统与工业控制:广泛应用于工业控制系统、测量仪器、通信设备等,用于维持电路工作的稳定性。

5. 汽车电子:适用于车载电源管理、传感器供电等场景,具备良好的温度稳定性和可靠性。

该器件采用表面贴装封装(如SOD-123),适合自动化生产和高密度PCB布局,适用于多种电子设备的设计与保护电路中。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

DIODE ZENER 5.0W 36V 5% T-18

产品分类

单二极管/齐纳

品牌

Microsemi Commercial Components Group

数据手册

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产品图片

产品型号

1N5365BE3/TR12

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同If时的电压-正向(Vf)

1.2V @ 1A

不同 Vr时的电流-反向漏电流

500nA @ 25.9V

供应商器件封装

T-18

功率-最大值

5W

包装

带卷 (TR)

安装类型

通孔

容差

±5%

封装/外壳

T-18,轴向

工作温度

-65°C ~ 150°C

标准包装

3,000

电压-齐纳(标称值)(Vz)

36V

阻抗(最大值)(Zzt)

11 欧姆

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