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  • 型号: 1N5364BE3/TR8
  • 制造商: American Microsemiconductor, Inc.
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供1N5364BE3/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 1N5364BE3/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.1N5364BE3/TR8封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载1N5364BE3/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有1N5364BE3/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Microsemi Corporation(现为Microchip子公司)的1N5364BE3/TR8是一款齐纳二极管,属于单齐纳二极管类别。该型号具有稳定的反向击穿电压特性,常用于需要电压参考或稳压功能的电子电路中。

其主要应用场景包括:

1. 电源稳压电路:用于低压直流电源中提供稳定的基准电压,确保输出电压在负载变化时保持恒定。

2. 电压参考源:在模拟电路、ADC/DAC电路中作为精确的电压参考点,保障测量和转换精度。

3. 过压保护电路:用于保护敏感电子元件免受过高电压的损害,限制输入电压在安全范围内。

4. 信号调节电路:在传感器或测量设备中用于稳定信号电平,提高系统稳定性与可靠性。

5. 嵌入式系统与工业控制:广泛应用于工业控制系统、通信设备及消费类电子产品中的稳压与基准电压需求场合。

该器件采用表面贴装封装(如SOD-123),适合自动化生产与高密度PCB布局,适用于多种电子设备设计。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

DIODE ZENER 5.0W 33V 5% T-18

产品分类

单二极管/齐纳

品牌

Microsemi Commercial Components Group

数据手册

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产品图片

产品型号

1N5364BE3/TR8

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同If时的电压-正向(Vf)

1.2V @ 1A

不同 Vr时的电流-反向漏电流

500nA @ 23.8V

供应商器件封装

T-18

功率-最大值

5W

包装

带卷 (TR)

安装类型

通孔

容差

±5%

封装/外壳

T-18,轴向

工作温度

-65°C ~ 150°C

标准包装

1,000

电压-齐纳(标称值)(Vz)

33V

阻抗(最大值)(Zzt)

10 欧姆

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