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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供1N5364BE3/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 1N5364BE3/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.1N5364BE3/TR8封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载1N5364BE3/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有1N5364BE3/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation(现为Microchip子公司)的1N5364BE3/TR8是一款齐纳二极管,属于单齐纳二极管类别。该型号具有稳定的反向击穿电压特性,常用于需要电压参考或稳压功能的电子电路中。 其主要应用场景包括: 1. 电源稳压电路:用于低压直流电源中提供稳定的基准电压,确保输出电压在负载变化时保持恒定。 2. 电压参考源:在模拟电路、ADC/DAC电路中作为精确的电压参考点,保障测量和转换精度。 3. 过压保护电路:用于保护敏感电子元件免受过高电压的损害,限制输入电压在安全范围内。 4. 信号调节电路:在传感器或测量设备中用于稳定信号电平,提高系统稳定性与可靠性。 5. 嵌入式系统与工业控制:广泛应用于工业控制系统、通信设备及消费类电子产品中的稳压与基准电压需求场合。 该器件采用表面贴装封装(如SOD-123),适合自动化生产与高密度PCB布局,适用于多种电子设备设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 5.0W 33V 5% T-18 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 1N5364BE3/TR8 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 1A |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 23.8V |
| 供应商器件封装 | T-18 |
| 功率-最大值 | 5W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | T-18,轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,000 |
| 电压-齐纳(标称值)(Vz) | 33V |
| 阻抗(最大值)(Zzt) | 10 欧姆 |