【未分类_1N5362BE3/TR8】封装/厂家_1N5362BE3/TR8中文资料_价格

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型号： 1N5362BE3/TR8
制造商： American Microsemiconductor, Inc.
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供1N5362BE3/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 1N5362BE3/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.1N5362BE3/TR8封装/规格：未分类，暂无。您可以下载1N5362BE3/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有1N5362BE3/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

1N5362BE3/TR8 是由 Microsemi Corporation（现为 Microchip Technology）生产的一款齐纳二极管，属于“二极管 - 齐纳 - 单”类别。其主要应用场景包括：

 1. 电压稳压
   - 1N5362BE3/TR8 是一款齐纳二极管，具有稳定的反向击穿电压（典型值为 7.5V），适合用于电路中的电压稳压功能。它能够将输出电压稳定在特定值，适用于低功率电路中需要恒定电压的场景。
   - 应用实例：为敏感电子设备提供稳定的电源电压。

 2. 过压保护
   - 在电路设计中，该齐纳二极管可以用来限制输入或输出电压，防止过高电压对后续电路造成损坏。
   - 应用实例：保护微控制器、传感器或其他低电压器件免受瞬态高压的影响。

 3. 信号电平转换
   - 齐纳二极管可用于信号电平转换，将高电压信号钳位到合适的范围，以匹配后续电路的输入要求。
   - 应用实例：在通信接口中调整信号幅度。

 4. 参考电压源
   - 由于其稳定的击穿电压特性，1N5362BE3/TR8 可作为简单的参考电压源，用于比较器电路或 ADC/DAC 校准。
   - 应用实例：为模拟电路提供基准电压。

 5. 浪涌吸收
   - 在开关电源或电机驱动电路中，齐纳二极管可以吸收瞬时浪涌电流，保护电路元件。
   - 应用实例：抑制继电器触点断开时产生的反电动势。

 性能特点：
   - 击穿电压（Vz）：7.5V（典型值）
   - 功率耗散：5W（最大）
   - 工作温度范围：-55°C 至 +150°C
   - 封装形式：TO-236-3/TR (SOD-123)

 典型应用领域：
   - 消费电子产品（如音频设备、家用电器）
   - 工业控制（如传感器、PLC）
   - 通信设备（如信号调理电路）
   - 汽车电子（如电源稳压和保护电路）

总结来说，1N5362BE3/TR8 是一款性能可靠的齐纳二极管，适用于多种需要电压稳压、过压保护和参考电压源的场景。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	DIODE ZENER 5.0W 28V 5% T-18
产品分类	单二极管/齐纳
品牌	Microsemi Commercial Components Group
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	1N5362BE3/TR8
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
不同If时的电压-正向(Vf)	1.2V @ 1A
不同 Vr时的电流-反向漏电流	500nA @ 20.1V
供应商器件封装	T-18
功率-最大值	5W
包装	带卷（TR）
安装类型	通孔
容差	±5%
封装/外壳	T-18，轴向
工作温度	-65°C ~ 150°C
标准包装	1,000
电压-齐纳（标称值）(Vz)	28V
阻抗（最大值）(Zzt)	6 欧姆