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  • 型号: 1N5359BE3/TR8
  • 制造商: American Microsemiconductor, Inc.
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供1N5359BE3/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 1N5359BE3/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.1N5359BE3/TR8封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载1N5359BE3/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有1N5359BE3/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

1N5359BE3/TR8 是由 Microsemi Corporation(现为 Microchip Technology)生产的单齐纳二极管,属于 1N5359 系列。这种齐纳二极管广泛应用于需要稳定电压、限幅保护和信号调节的电路中。以下是其主要应用场景:

 1. 电压稳压
   - 齐纳二极管的核心功能是提供稳定的参考电压。1N5359BE3/TR8 的齐纳电压范围为 6.8V 至 7.5V(具体取决于批次),适用于低功率电路中的电压稳压。
   - 常见应用包括为低压电源电路提供基准电压,确保负载设备在一定范围内获得稳定的供电。

 2. 过压保护
   - 在电子系统中,齐纳二极管可以用来防止输入电压过高导致器件损坏。例如,在传感器接口或通信线路中,1N5359BE3/TR8 可以将电压限制在其齐纳电压以下,从而保护后端电路。

 3. 信号电平调整
   - 在模拟信号处理中,齐纳二极管可用于限制信号幅度,防止信号超出预定范围。例如,在音频电路或射频电路中,1N5359BE3/TR8 可以用于削波或箝位操作。

 4. 电源监控与复位电路
   - 在嵌入式系统中,齐纳二极管可以配合其他元件(如电阻和电容)设计简单的电源监控电路。当电源电压低于设定值时,齐纳二极管停止导通,触发复位信号。

 5. 温度补偿电路
   - 齐纳二极管的反向击穿特性受温度影响较小,因此适合用作温度补偿元件。在精密电路中,1N5359BE3/TR8 可与其他温度敏感元件结合,优化整体性能。

 6. 浪涌吸收
   - 在某些情况下,齐纳二极管可以用作瞬态电压抑制器(TVS),吸收短暂的电压浪涌。尽管其功率较低,但在小型电路中仍能有效保护敏感元件。

 总结
1N5359BE3/TR8 的典型应用场景包括电压稳压、过压保护、信号调节、电源监控以及温度补偿等。它适用于低功率、中小规模的电子设计,尤其适合对成本和体积有严格要求的产品开发。然而,由于其功率等级有限(最大耗散功率约 5W),不建议在高功率场合下使用。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

DIODE ZENER 5.0W 24V 5% T-18

产品分类

单二极管/齐纳

品牌

Microsemi Commercial Components Group

数据手册

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产品图片

产品型号

1N5359BE3/TR8

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同If时的电压-正向(Vf)

1.2V @ 1A

不同 Vr时的电流-反向漏电流

500nA @ 17.3V

供应商器件封装

T-18

功率-最大值

5W

包装

带卷 (TR)

安装类型

通孔

容差

±5%

封装/外壳

T-18,轴向

工作温度

-65°C ~ 150°C

标准包装

1,000

电压-齐纳(标称值)(Vz)

24V

阻抗(最大值)(Zzt)

3.5 欧姆

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