Datasheet下载- 型号： 1N5359BE3/TR13
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供1N5359BE3/TR13由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 1N5359BE3/TR13价格参考。American Microsemiconductor, Inc.1N5359BE3/TR13封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载1N5359BE3/TR13参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有1N5359BE3/TR13 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
1N5359BE3/TR13 是由 Microsemi Corporation（现为 Microchip Technology）生产的单齐纳二极管，属于 1N5359 系列。这种齐纳二极管的主要应用场景包括电压调节、稳压、过压保护以及信号电平控制等。以下是其具体的应用场景和功能说明： 1. 电压调节与稳压 - 1N5359BE3/TR13 的齐纳击穿电压为 7.5V，适用于需要稳定电压的电路。它可以通过将电压限制在特定范围内，确保负载设备在稳定的电压下工作。 - 常用于电源电路中，为低功耗设备提供稳定的参考电压。 2. 过压保护 - 在电子系统中，该齐纳二极管可以防止输入或输出端口因瞬时高压而损坏。例如，在传感器接口或通信线路中，它可以将电压钳位到安全水平。 - 适用于保护敏感元件免受静电放电（ESD）或其他瞬态电压的影响。 3. 信号电平控制 - 在信号处理电路中，齐纳二极管可用于限制信号幅值。例如，在音频或射频电路中，它可以防止信号过载，从而避免失真或损坏后续级联电路。 4. 参考电压源 - 由于其稳定的击穿电压特性，1N5359BE3/TR13 可用作简单的参考电压源。在一些模拟电路中，它为比较器、放大器等提供基准电压。 5. 浪涌吸收 - 在开关电源或电机驱动电路中，齐纳二极管可以吸收由于感性负载引起的电压浪涌，保护电路中的其他元件。 6. 电池充电保护 - 在便携式设备中，该齐纳二极管可用于监测电池电压，防止过充或过放。当电池电压达到设定值时，齐纳二极管会触发保护机制。 总结 1N5359BE3/TR13 的主要优势在于其高可靠性、宽工作温度范围（-55°C 至 +150°C）以及良好的热稳定性，适合工业、汽车和消费电子领域的多种应用。在设计时，需注意其功率等级（1W）和最大电流限制，以确保安全运行。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 5.0W 24V 5% T-18 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 1N5359BE3/TR13 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 1A |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 17.3V |
| 供应商器件封装 | T-18 |
| 功率-最大值 | 5W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | T-18，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,250 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 24V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 3.5 欧姆 |
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