Datasheet下载- 型号： 1N5336BE3/TR8
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供1N5336BE3/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 1N5336BE3/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.1N5336BE3/TR8封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载1N5336BE3/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有1N5336BE3/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现为Microchip Technology旗下品牌）的1N5336BE3/TR8是一款齐纳二极管，属于1N5300系列，标称齐纳电压为12V，功率为5W。该器件主要用于电压稳压和电路保护场景。 典型应用场景包括：在电源管理电路中作为基准电压源或过压保护元件，确保敏感电路在电压波动时稳定运行；在工业控制设备、通信系统和消费类电子产品中，用于钳位电压、防止瞬态电压冲击损坏后续元件；也可用于DC-DC转换器的反馈回路中，提供稳定的参考电压。 由于其高功率耗散能力（5W），1N5336BE3/TR8适用于需要较强散热性能的环境，如电源适配器、电池充电电路和汽车电子系统。其封装形式（通常为DO-201AL）便于安装在散热片上，提升热稳定性。 此外，该型号符合AEC-Q101车规标准，具备较高可靠性，适合汽车电子中的稳压需求，如车载电源模块或传感器供电电路。同时，因其低动态阻抗和良好的温度稳定性，也常用于精密模拟电路中的电压参考。 总之，1N5336BE3/TR8广泛应用于工业、汽车、通信及消费电子领域，适用于需要12V稳压、高可靠性和过压保护的场合。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 5.0W 4.3V 5% T-18 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 1N5336BE3/TR8 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 1A |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 10µA @ 1V |
| 供应商器件封装 | T-18 |
| 功率-最大值 | 5W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | T-18，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 4.3V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 2 欧姆 |
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