Datasheet下载- 型号： 1N5265BDO35E3
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供1N5265BDO35E3由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 1N5265BDO35E3价格参考。American Microsemiconductor, Inc.1N5265BDO35E3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载1N5265BDO35E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有1N5265BDO35E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现为Microchip Technology旗下品牌）的1N5265BDO35E3是一款齐纳二极管，属于1N52xx系列，分类为二极管 - 齐纳 - 单。该型号的齐纳电压为30V，功率为500mW，采用DO-35玻璃封装，符合RoHS环保标准。 1N5265BDO35E3主要应用于需要稳定参考电压或过压保护的低功率电子电路中。典型应用场景包括： 1. 电压基准源：在电源管理、模拟电路或ADC/DAC系统中提供稳定的30V参考电压，确保信号精度和系统稳定性。 2. 过压保护：用于保护敏感元器件（如IC、晶体管等）免受瞬态电压或浪涌冲击，常用于接口电路、电源输入端等位置。 3. 稳压电路：在小功率直流电源或电池供电设备中作为简易稳压元件，适用于对成本和空间要求较高的设计。 4. 信号箝位：在通信或信号处理电路中限制信号幅度，防止信号超出安全范围造成损坏。 由于其DO-35封装小巧，适合PCB空间有限的应用，广泛用于消费电子、工业控制、通信设备和汽车电子等领域。同时，该器件可靠性高，适合对长期稳定性有要求的环境。 总之，1N5265BDO35E3是一款性能稳定的30V齐纳二极管，适用于多种低功率稳压与保护场景，是电子系统中常用的被动元件之一。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 62V 500MW DO35 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | 1N5265BDO35E3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.5V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 100nA @ 47V |
| 供应商器件封装 | DO-35 |
| 其它名称 | 1N5265BDO35E3MSCT |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | DO-204AH，DO-35，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 175°C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 62V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 185 欧姆 |
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