Datasheet下载- 型号： 1N5235B-TR
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供1N5235B-TR由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 1N5235B-TR价格参考。Vishay1N5235B-TR封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载1N5235B-TR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有1N5235B-TR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
1N5235B-TR 是由 Vishay Semiconductor Diodes Division 生产的单齐纳二极管，其主要应用场景如下： 1. 电压稳压 - 1N5235B-TR 的齐纳击穿电压为6.2V（±5%），适合用于电路中的电压稳压。例如，在电源电路中，可以将该齐纳二极管与负载并联，确保输出电压稳定在6.2V左右，适用于对电压要求稳定的低功耗设备。 2. 过压保护 - 在敏感电子设备中，1N5235B-TR 可用作过压保护元件。当输入电压超过6.2V时，齐纳二极管导通并将多余的电流分流到地，从而保护后续电路免受过高电压的影响。 3. 信号电平调整 - 在信号处理电路中，1N5235B-TR 可用于限制信号电压幅值。例如，在音频或射频电路中，它可以将信号电压钳位到6.2V，防止信号过载损坏后级放大器或其他组件。 4. 参考电压源 - 由于齐纳二极管具有稳定的击穿电压特性，1N5235B-TR 可作为简单的参考电压源，用于比较器、ADC/DAC基准电压生成等场景。 5. 浪涌抑制 - 在瞬态电压抑制（TVS）应用中，1N5235B-TR 可以吸收短时间内的高电压浪涌，保护电路中的其他元件。例如，在开关电源或继电器电路中，它可以抑制感性负载产生的反向电动势。 6. 温度补偿电路 - 结合其他温度敏感元件，1N5235B-TR 可用于构建温度补偿电路，确保系统在不同温度条件下仍能保持稳定的性能。 注意事项 - 1N5235B-TR 的最大功耗为500mW，因此在设计电路时需确保流经齐纳二极管的电流不超过其额定值。 - 齐纳二极管的性能可能受温度影响，实际应用中需考虑温度漂移对电压稳定性的影响。 总之，1N5235B-TR 是一种经济实用的齐纳二极管，广泛应用于低压稳压、保护和信号处理等领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE ZENER 6.8V 500MW DO35稳压二极管 6.8 Volt 0.5 Watt |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
| 品牌 | Vishay SemiconductorsVishay Semiconductor Diodes Division |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,Vishay Semiconductors 1N5235B-TR- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 1N5235B-TR1N5235B-TR |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.1V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 3µA @ 5V |
| 产品种类 | Zener Diodes |
| 供应商器件封装 | DO-35 |
| 其它名称 | 1N5235BVSTR |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 功率耗散 | 500 mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Vishay Semiconductors |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 容差 | ±5% |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | DO-204AH，DO-35，轴向 |
| 封装/箱体 | DO-35 |
| 工作温度 | - |
| 工厂包装数量 | 10000 |
| 最大反向漏泄电流 | 3 uA |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最大齐纳阻抗 | 5 Ohms |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 10,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 6.8V |
| 电压容差 | 5 % |
| 电压温度系数 | 0.05 %/K |
| 系列 | 1N52xxB |
| 配置 | Single |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 5 欧姆 |
| 齐纳电压 | 6.8 V |
| 齐纳电流 | 20 mA |
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